职能描述
【工作内容】
① SiC芯片研发总监
■ 负责SiC二极管以及MOSFET的产品开发，包括设计，工艺，可靠性验证，量产导入及市场推广等
■ 负责研发团队及项目进度管理，协调和统筹各部门资源加速产品推进
■ 负责制定产品和技术开发方向，包括新结构，新工艺及新材料先行性研究以及项目专利布局

② SiC芯片仿真设计工程师
■ 能够熟练运用Sentaurus、Silvaco等半导体设计仿真软件对SiC功率器件的结构和工艺作仿真设计
■ 通过仿真结构，制定实验计划，分析实验数据，推进SiC功率器件的工艺和结构改进工作
■ 负责SiC功率器件版图绘制，PCM区设计等工作，协助工艺厘清产品研发过程中的问题
■ 负责SiC功率器件的专利撰写

【关键词】日企招聘 猎头 求职 日语人才网 リクナビ 半导体 高新技术 科研 仿真技术
招聘背景
事業拡大
职位要求
【必须条件】
① SiC芯片研发总监
■ 具有10年以上功率器件（可IGBT，SiC优先）设计，工艺及产线经验；熟悉产品开发流程及产线运作模式；
■ 有较强的英语能力，可以和国际客户熟练沟通。
■ 具有丰富的团队管理经验

②【SiC芯片仿真设计工程师 任职要求】
■ 微电子，物理学，电气专业优先
■ 4年以上相关工作经验，有SiC或者IGBT仿真设计经验；
■ 熟悉功率器件原理，半导体器件物理基础知识，熟悉工艺流程基础知识以及相关工艺模块等。
工作地点
长沙市岳麓区
工作时间
08:30 - 17:30
待遇福利
五険一金（養老、失業、医療、工傷保険、住宅積立金）
休假
国家法定休暇
选拔流程
RGF書類選考→RGF面談&推薦→企業面接（2～3次）→内定→入社